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CSPEMI400G
Table 4. ELECTRICAL OPERATING CHARACTERISTICS (Note 1)
Symbol
R 1
R 2
C
Resistance of R 1
Resistance of R 2
Capacitance
Parameter
Conditions
V IN = 2.5 VDC, 1 MHz,
30 mV ac
Min
80
38
16
Typ
100
47
20
Max
120
56
24
Units
W
W
pF
V STANDOFF
I LEAK
Stand ? off Voltage
Diode Leakage Current
I = 10 m A
V BIAS = 3.3 V
6.0
300
V
nA
V SIG
Signal Voltage
Positive Clamp
Negative Clamp
I LOAD = 10 mA
I LOAD = ? 10 mA
5.6
? 1.5
6.8
? 0.8
9.0
? 0.4
V
V ESD
V CL
f C1
f C2
In ? system ESD Withstand Voltage
a) Human Body Model, MIL ? STD ? 883, Method 3015
b) Contact Discharge per IEC 61000 ? 4 ? 2
Clamping Voltage during ESD Discharge
MIL ? STD ? 883 (Method 3015), 8 kV
Positive Transients
Negative Transients
Cut ? off frequency
Z SOURCE = 50 W , Z LOAD = 50 W
Cut ? off frequency
Z SOURCE = 50 W , Z LOAD = 50 W
(Notes 2 and 4)
(Notes 2, 3 and 4)
R = 100 W , C = 20 pF
R = 47 W , C = 20 pF
± 25
± 10
77
85
+12
? 7
kV
V
MHz
MHz
1. T A = 25 ° C unless otherwise specified.
2. ESD applied to input and output pins with respect to GND, one at a time.
3. Clamping voltage is measured at the opposite side of the EMI filter to the ESD pin. For example, if ESD is applied to Pin A1, then clamping
voltage is measured at Pin C1.
4. Unused pins are left open.
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